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無壓燒結碳化硅

點擊次數:1   更新時間:2016-08-03  【關閉分    享:

無壓燒結碳化硅SSiC和熱壓燒結SiC


無壓燒結SiC它是采用超細SiC微粉(粒度約在0.1~0.2微米)加適當的添加劑、粘結劑壓制成型,然后再2000~2200攝氏度的溫度下燒結而成的。適合用于數量少、規格品種多的機械密封環。


熱壓燒結SiC它由粒度小于等于1微米的SiC粉加上適當的添加劑,裝入石墨模具內,在2000~2100攝氏度的熱壓爐中加壓(30~50MPa)制成

的。它是SiC中化學穩定性好的一種。這是因為在氧化氣氛下,表層生成一種保護性的SiO2膜的緣故。這種SiC用作耐腐蝕密封摩擦副環性能好。


以下是常用材質的腐蝕液體中的測試結果

測試環境

腐蝕性失重(mg/cm2yr)

試劑濃度(Wt%)

溫度(°C)

無壓燒結碳化硅

反應燒結碳化硅

碳化鎢

氧化鋁

98%H2SO4

100

1.8

55.0

>1000

65.0

50%NaOH

100

2.5

>1000

5.0

75.0

53%HF

25

<0.2

7.9

8.0

20.0

85%H3PO4

100

<0.2

8.8

55.0

>1000

70%HNO3

100

<0.2

0.5

>1000

7.0

45KOH

100

<0.2

>1000

3.0

60.0

25%HCL

70

<0.2

0.9

85.0

72.0

10%HF和 57%HNO3

25

<0.2

>1000

>1000

16.0

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